IRF830ASPBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRF830ASPBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF830ASPBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

556 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12868618

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF830ASPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

500 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

620 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-263 (D2PAK)

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grunnvörunúmer

IRF830

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Önnur nöfn

*IRF830ASPBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

IRF9610

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRF510L

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3

vishay-siliconix

IRF730ASTRL

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7Y25-80E/CX

MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56