Framleiðandi Vöru númer:
IRF830
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRF830-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12868962
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF830 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF830
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
IRF830IR
*IRF830
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF830PBF-BE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3320
HLUTARNÁMR
IRF830PBF-BE3-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IRF830PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
9086
HLUTARNÁMR
IRF830PBF-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
STP5NK52ZD
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1348
HLUTARNÁMR
STP5NK52ZD-DG
Einingaverð
0.85
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDP5N50NZ
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3522
HLUTARNÁMR
FDP5N50NZ-DG
Einingaverð
0.50
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF730A
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRFI630G
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
IRFB9N65A
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
