IRF710S

Framleiðandi Vöru númer:

IRF710S

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF710S-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 400 V 2A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

RFQ á netinu

12892784

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF710S Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

400 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

170 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-263 (D2PAK)

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grunnvörunúmer

IRF710

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Önnur nöfn

*IRF710S

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IRF710SPBF

FRAMLEIÐANDI

Vishay Siliconix

Fjöldi í boði

0

HLUTARNÁMR

IRF710SPBF-DG

Einingaverð

0.59

VÖRUVAL

Direct

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

taiwan-semiconductor

TSM80N950CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1N45CT A3G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92

vishay-siliconix

IRFBC40STRR

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

2N6661-2

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39