IRF710

Framleiðandi Vöru númer:

IRF710

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF710-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

RFQ á netinu

12952324

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF710 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

400 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

170 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

36W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-220AB

Pakki / hulstur

TO-220-3

Grunnvörunúmer

IRF710

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

IRF710, SiHF710 Packaging Information

Aukainformation

Venjulegur pakki

1,000

Önnur nöfn

*IRF710

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer

IRF710PBF

FRAMLEIÐANDI

Vishay Siliconix

Fjöldi í boði

6746

HLUTARNÁMR

IRF710PBF-DG

Einingaverð

0.37

VÖRUVAL

Direct

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

diodes

DMN6013LFGQ-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333

vishay-siliconix

SIB414DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SUP60N06-12P-E3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

NX2020N2115

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR