IRF630PBF-BE3
Framleiðandi Vöru númer:

IRF630PBF-BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF630PBF-BE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

12945880
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRF630PBF-BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF630

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-IRF630PBF-BE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRF624PBF-BE3

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB

vishay-siliconix

IRL630PBF-BE3

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK210V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN

vishay-siliconix

IRFR1N60APBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK