IRF510STRRPBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRF510STRRPBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF510STRRPBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

1558 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12893181

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF510STRRPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

5.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

180 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-263 (D2PAK)

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grunnvörunúmer

IRF510

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IRF510STRRPBF-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

IRF510S, SiHF510S

Aukainformation

Venjulegur pakki

800

Önnur nöfn

IRF510STRRPBF-DG

IRF510STRRPBFCT

IRF510STRRPBFTR

IRF510STRRPBFDKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

IRFBC20STRR

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFD213

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

vishay-semi-diodes

FA38SA50LC

MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

vishay-siliconix

IRFBC40

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB