Framleiðandi Vöru númer:
IRF510S
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
IRF510S-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12858648
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF510S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IRF510
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRF510S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF510SPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
27540
HLUTARNÁMR
IRF510SPBF-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF720STRR
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
NVMFS5C456NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVMFS6H852NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
