IRF510PBF

Framleiðandi Vöru númer:

IRF510PBF

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

IRF510PBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

50060 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12859357

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF510PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

5.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

180 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

43W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-220AB

Pakki / hulstur

TO-220-3

Grunnvörunúmer

IRF510

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

IRF510, SiHF510 Packaging Information

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Önnur nöfn

*IRF510PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

onsemi

NVTFS5C658NLWFTAG

MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN

IRF7475TRPBF

MOSFET N-CH 12V 11A 8SO

panasonic

SK8403190L

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO

NP88N055KUG-E2-AY

TRANSISTOR