Framleiðandi Vöru númer:
2N7002
Product Overview
Framleiðandi:
UMW
Völu númer:
2N7002-DG
Lýsing:
S0T-23 MOSFETS ROHS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Birgðir:
274 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13002552
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2N7002 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
UMW
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
UMW
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
115mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (hámark)
20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
225mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
2N7002
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
4518-2N7002TR
4518-2N7002CT
4518-2N7002DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FBG04N08ASH
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETE
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
