UF3C120080K3S
Framleiðandi Vöru númer:

UF3C120080K3S

Product Overview

Framleiðandi:

Qorvo

Völu númer:

UF3C120080K3S-DG

Lýsing:

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3

Birgðir:

17660 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12967099
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

UF3C120080K3S Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Qorvo
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
254.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
UF3C120080

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
2312-UF3C120080K3S

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
unitedsic

UF3C120150K3S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3

vishay-siliconix

SIJ462ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK

onsemi

NTD600N80S3Z

MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE

vishay-siliconix

SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK