UF3C120040K3S
Framleiðandi Vöru númer:

UF3C120040K3S

Product Overview

Framleiðandi:

Qorvo

Völu númer:

UF3C120040K3S-DG

Lýsing:

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-3

Birgðir:

35812 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12953647
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

UF3C120040K3S Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Qorvo
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
429W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
UF3C120040

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
2312-UF3C120040K3S

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRFC4905B

MOSFET 55V 42A DIE

diodes

ZVN2120ASTZ

MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE

infineon-technologies

IPBE65R190CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12J60W,S1VE(S

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P