Framleiðandi Vöru númer:
TP65H480G4JSG-TR
Product Overview
Framleiðandi:
Transphorm
Völu númer:
TP65H480G4JSG-TR-DG
Lýsing:
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
Birgðir:
2915 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12948221
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TP65H480G4JSG-TR Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Transphorm
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±18V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
13.2W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
3-PQFN (5x6)
Pakki / hulstur
3-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
TP65H480
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
1707-TP65H480G4JSG-TR
1707-TP65H480G4JSG-DKR
1707-TP65H480G4JSG-CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
STD15N60DM6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
NTMFS5C612NT1G-TE
MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
STW68N65DM6-4AG
MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
