Framleiðandi Vöru númer:
TP65H150G4PS
Product Overview
Framleiðandi:
Transphorm
Völu númer:
TP65H150G4PS-DG
Lýsing:
GAN FET N-CH 650V TO-220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
3165 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12950404
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TP65H150G4PS Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Transphorm
Pakkning
Tube
Röð
SuperGaN®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
1707-TP65H150G4PS
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQS486CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
SQSA12CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
SISS54DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
