Framleiðandi Vöru númer:
TP65H050G4BS
Product Overview
Framleiðandi:
Transphorm
Völu númer:
TP65H050G4BS-DG
Lýsing:
650 V 34 A GAN FET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-263
Birgðir:
329 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13001027
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TP65H050G4BS Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Transphorm
Pakkning
Tube
Röð
SuperGaN®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
119W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
TP65H050
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
1707-TP65H050G4BS
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
