Framleiðandi Vöru númer:
TP65H035G4QS
Product Overview
Framleiðandi:
Transphorm
Völu númer:
TP65H035G4QS-DG
Lýsing:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TOLL
Birgðir:
13259168
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TP65H035G4QS Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Transphorm
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SuperGaN®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
46.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TOLL
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
1707-TP65H035G4QSDKR
TP65H035G4QS-TR
1707-TP65H035G4QSCT
1707-TP65H035G4QSTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
DIGI vottun
Tengdar vörur
GT1K2P15K
MOSFET P-CH 150V 27A TO-252
TP65H050G4YS
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
GC030N65QF
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247