Framleiðandi Vöru númer:
TPN4R806PL,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPN4R806PL,L1Q-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Birgðir:
13199 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12920893
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPN4R806PL,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSIX-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 300µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2770 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
TPN4R806
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
264-TPN4R806PLL1QTR
264-TPN4R806PLL1QCT
264-TPN4R806PLL1QDKR
TPN4R806PL,L1Q(M
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK110P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK3R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR