Framleiðandi Vöru númer:
TPH2R903PL,L1Q
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPH2R903PL,L1Q-DG
Lýsing:
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 960mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Birgðir:
4970 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12988680
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPH2R903PL,L1Q Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSIX-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2300 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
960mW (Ta), 81W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP Advance (5x5)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
264-TPH2R903PL,L1QTR-DG
264-TPH2R903PLL1QTR
264-TPH2R903PL,L1QCT
264-TPH2R903PL,L1QTR
264-TPH2R903PLL1QTR-DG
264-TPH2R903PL,L1QDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW65R125CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V