Framleiðandi Vöru númer:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Birgðir:
12891212
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPC8A05-H(TE12L,QM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
-
Röð
U-MOSV-H
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700 pF @ 10 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Body)
Afl leiðni (hámark)
1W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP (5.5x6.0)
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Grunnvörunúmer
TPC8A05
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI2304BDS-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
65573
HLUTARNÁMR
SI2304BDS-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.09
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMN3016LSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
14193
HLUTARNÁMR
DMN3016LSS-13-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
TK160F10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
