Framleiðandi Vöru númer:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Birgðir:
12891894
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TPC8A02-H(TE12L,Q) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1970 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP (5.5x6.0)
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Grunnvörunúmer
TPC8A02
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN3010LSS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
2390
HLUTARNÁMR
DMN3010LSS-13-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF8113TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1665
HLUTARNÁMR
IRF8113TRPBF-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
BSO040N03MSGXUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2438
HLUTARNÁMR
BSO040N03MSGXUMA1-DG
Einingaverð
0.50
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN61D8LQ-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
DMN3016LK3-13
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252