Framleiðandi Vöru númer:
TK8P60W,RVQ
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK8P60W,RVQ-DG
Lýsing:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
12890262
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK8P60W,RVQ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 400µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
570 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
80W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
TK8P60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
TK8P60W,RVQ(S
TK8P60WRVQDKR
TK8P60WRVQTR
TK8P60WRVQCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPD08N50C3ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
12211
HLUTARNÁMR
SPD08N50C3ATMA1-DG
Einingaverð
0.77
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTY8N70X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
49
HLUTARNÁMR
IXTY8N70X2-DG
Einingaverð
1.41
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTY8N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
20
HLUTARNÁMR
IXTY8N65X2-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
V30429-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
DMN1017UCP3-7
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
TK30E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
