Framleiðandi Vöru númer:
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK8A55DA(STA4,Q,M)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 550 V 7.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
48 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12889254
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK8A55DA(STA4,Q,M) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
π-MOSVII
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
550 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.07Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
40W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
TK8A55
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK8A55DA(STA4QM)
TK8A55DASTA4QM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
R5007FNX
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
212
HLUTARNÁMR
R5007FNX-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM