Framleiðandi Vöru númer:
TK7A65W,S5X
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK7A65W,S5X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
12891123
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK7A65W,S5X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
490 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
30W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
TK7A65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTP4N70X2M
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
24
HLUTARNÁMR
IXTP4N70X2M-DG
Einingaverð
1.35
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STF9N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1988
HLUTARNÁMR
STF9N60M2-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
TK35S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
