Framleiðandi Vöru númer:
TK6A53D(STA4,Q,M)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK6A53D(STA4,Q,M)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 525 V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
12890731
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK6A53D(STA4,Q,M) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
π-MOSVII
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
525 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
TK6A53
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
R5007FNX
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
212
HLUTARNÁMR
R5007FNX-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STP5NK50ZFP
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
849
HLUTARNÁMR
STP5NK50ZFP-DG
Einingaverð
0.74
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
TPCA8007-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
TPCA8128,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP
