Framleiðandi Vöru númer:
TK560P65Y,RQ
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK560P65Y,RQ-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
4898 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890372
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK560P65Y,RQ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
DTMOSV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
380 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
TK560P65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
TK560P65YRQDKR
TK560P65YRQCT
TK560P65Y,RQ(S
TK560P65YRQ(S
TK560P65YRQTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK40A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
TPN8R903NL,LQ
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
TK35E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
