Framleiðandi Vöru númer:
TK4R3A06PL,S4X
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK4R3A06PL,S4X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 68A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 68A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
38 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890721
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK4R3A06PL,S4X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
U-MOSIX-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3280 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
TK4R3A06
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK4R3A06PL,S4X(S
TK4R3A06PLS4X
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK39J60W5,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
