Framleiðandi Vöru númer:
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK4A65DA(STA4,Q,M)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 3.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
12889416
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK4A65DA(STA4,Q,M) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
-
Röð
π-MOSVII
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
TK4A65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK4A65DA(STA4QM)
TK4A65DASTA4QM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FQPF6N80C
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
800
HLUTARNÁMR
FQPF6N80C-DG
Einingaverð
1.17
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STF6N65M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
300
HLUTARNÁMR
STF6N65M2-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TK6A65D(STA4,Q,M)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
35
HLUTARNÁMR
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK35A65W5,S5X
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
SSM6K513NU,LF
MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB
