Framleiðandi Vöru númer:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
47 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890339
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK3A65D(STA4,Q,M) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
π-MOSVII
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
TK3A65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFIBC30GPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1568
HLUTARNÁMR
IRFIBC30GPBF-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
