Framleiðandi Vöru númer:
TK39N60W5,S1VF
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK39N60W5,S1VF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Birgðir:
3172 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890996
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK39N60W5,S1VF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
270W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
TK39N60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPC8035-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TK65A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON