Framleiðandi Vöru númer:
TK39N60W,S1VF
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK39N60W,S1VF-DG
Lýsing:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Birgðir:
6 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12891305
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK39N60W,S1VF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
270W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
TK39N60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
TK39N60WS1VF
TK39N60W,S1VF(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCH067N65S3-F155
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
900
HLUTARNÁMR
FCH067N65S3-F155-DG
Einingaverð
5.11
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTH48N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
272
HLUTARNÁMR
IXTH48N65X2-DG
Einingaverð
5.48
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPW65R048CFDAFKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
80
HLUTARNÁMR
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
Einingaverð
7.59
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
