Framleiðandi Vöru númer:
TK31E60X,S1X
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK31E60X,S1X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
50 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890323
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
DusJ
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK31E60X,S1X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
230W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
TK31E60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK31E60XS1X
TK31E60X,S1X(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK7J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
