Framleiðandi Vöru númer:
TK2R4E08QM,S1X
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK2R4E08QM,S1X-DG
Lýsing:
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
176 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12965675
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK2R4E08QM,S1X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
U-MOSX-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.2mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
13000 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR188LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SI4484EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
SIHA15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
