Framleiðandi Vöru númer:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK25N60X,S1F-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Birgðir:
12889157
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
acSC
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK25N60X,S1F Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2400 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
180W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
TK25N60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPW65R125C7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
80
HLUTARNÁMR
IPW65R125C7XKSA1-DG
Einingaverð
2.31
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFH34N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
89
HLUTARNÁMR
IXFH34N65X2-DG
Einingaverð
4.08
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS