Framleiðandi Vöru númer:
TK20J60W,S1VE
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK20J60W,S1VE-DG
Lýsing:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Birgðir:
21 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12920884
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK20J60W,S1VE Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1680 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
165W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P(N)
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
TK20J60
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
264-TK20J60WS1VE
TK20J60W,S1VE(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK20E60W5,S1VX
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH2R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR