Framleiðandi Vöru númer:
TK14E65W5,S1X
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK14E65W5,S1X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
15 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12891028
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK14E65W5,S1X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 690µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
130W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
TK14E65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
TK14E65W5S1X
TK14E65W5,S1X(S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK14N65W5,S1F
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
30
HLUTARNÁMR
TK14N65W5,S1F-DG
Einingaverð
1.82
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
TK8A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
PHP23NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
