Framleiðandi Vöru númer:
TK12Q60W,S1VQ
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK12Q60W,S1VQ-DG
Lýsing:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Birgðir:
65 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890805
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK12Q60W,S1VQ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tube
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 600µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
890 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I-PAK
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
TK12Q60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
TK12Q60WS1VQ
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
2SK2989,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
