Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
TK11P65W,RQ
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK11P65W,RQ-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 11.1A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
485 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890836
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK11P65W,RQ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
DTMOSIV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
890 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
TK11P65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
TK11P65W
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
264-TK11P65W,RQCT
TK11P65W,RQ(S
TK11P65WRQDKR
TK11P65WRQTR-DG
TK11P65WRQCT-DG
TK11P65WRQDKR-DG
TK11P65WRQCT
TK11P65WRQTR
264-TK11P65W,RQTR
264-TK11P65W,RQDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPD07N60C3ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
4363
HLUTARNÁMR
SPD07N60C3ATMA1-DG
Einingaverð
0.96
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPD60R600P7SAUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
9704
HLUTARNÁMR
IPD60R600P7SAUMA1-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STD11N65M5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
6591
HLUTARNÁMR
STD11N65M5-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FCD7N60TM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
5978
HLUTARNÁMR
FCD7N60TM-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFY8N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
50
HLUTARNÁMR
IXFY8N65X2-DG
Einingaverð
1.40
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TK50P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 50A DP
TK46A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN