Framleiðandi Vöru númer:
TK110U65Z,RQ
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
TK110U65Z,RQ-DG
Lýsing:
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Surface Mount TOLL
Birgðir:
3960 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12989781
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TK110U65Z,RQ Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
DTMOSVI
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.02mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2250 pF @ 300 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TOLL
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
264-TK110U65ZRQCT
264-TK110U65ZRQDKR
TK110U65Z,RQ(S
264-TK110U65ZRQTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW65R090CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
IRF100P219AKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
