Framleiðandi Vöru númer:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
SSM6K217FE,LF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Birgðir:
25332 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12891400
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SSM6K217FE,LF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSVII-H
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
130 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
ES6
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Grunnvörunúmer
SSM6K217
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPH1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
TK650A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
