Framleiðandi Vöru númer:
SSM6J213FE(TE85L,F
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
SSM6J213FE(TE85L,F-DG
Lýsing:
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Birgðir:
12891203
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SSM6J213FE(TE85L,F Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
U-MOSVI
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
290 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
ES6
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Grunnvörunúmer
SSM6J213
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
SSM6J213FETE85LF
SSM6J213FE(TE85LFTR
SSM6J213FE(TE85LFCT
SSM6J213FE(TE85LFDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
