Framleiðandi Vöru númer:
RN4981FE,LF(CT
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN4981FE,LF(CT-DG
Lýsing:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Birgðir:
4000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12889631
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
FRkW
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN4981FE,LF(CT Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
4.7kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
4.7kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
500nA
Tíðni - Umskipti
250MHz, 200MHz
Kraftur - hámark
100mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Birgir tæki pakki
ES6
Grunnvörunúmer
RN4981
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
RN4981FELF(CTTR
RN4981FE(TE85LF)CT
RN4981FE(TE85LF)DKR
RN4981FE(TE85LF)DKR-DG
RN4981FELF(CBDKR
RN4981FELF(CBDKR-DG
RN4981FELF(CBCT
RN4981FE(TE85L,F)
RN4981FELF(CBCT-DG
RN4981FELF(CB
RN4981FELF(CBTR-DG
RN4981FELF(CBTR
RN4981FE(TE85LF)TR
RN4981FELF(CTCT
RN4981FELF(CTDKR
RN4981FE,LF(CB
RN4981FE(TE85LF)CT-DG
RN4981FE(TE85LF)TR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN1507(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4982FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
