Framleiðandi Vöru númer:
RN2967FE(TE85L,F)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN2967FE(TE85L,F)-DG
Lýsing:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Birgðir:
12889280
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN2967FE(TE85L,F) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
Gerð smára
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
10kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Tíðni - Umskipti
200MHz
Kraftur - hámark
100mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Birgir tæki pakki
ES6
Grunnvörunúmer
RN2967
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
RN2967FE(TE85LF)CT
RN2967FE(TE85LF)TR
RN2967FE(TE85LF)DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NSBA114YDXV6T1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3990
HLUTARNÁMR
NSBA114YDXV6T1G-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2907FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4907(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
