RN2610(TE85L,F)
Framleiðandi Vöru númer:

RN2610(TE85L,F)

Product Overview

Framleiðandi:

Toshiba Semiconductor and Storage

Völu númer:

RN2610(TE85L,F)-DG

Lýsing:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

Birgðir:

2890 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12889903
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

RN2610(TE85L,F) Tæknilegar forskriftir

Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
4.7kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
-
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Tíðni - Umskipti
200MHz
Kraftur - hámark
300mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SC-74, SOT-457
Birgir tæki pakki
SM6
Grunnvörunúmer
RN2610

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RN2610(TE85LF)TR
RN2610(TE85LF)DKR
RN2610(TE85LF)CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2964(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902,LF

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2969FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4911(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6