RN2119MFV(TPL3)
Framleiðandi Vöru númer:

RN2119MFV(TPL3)

Product Overview

Framleiðandi:

Toshiba Semiconductor and Storage

Völu númer:

RN2119MFV(TPL3)-DG

Lýsing:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Birgðir:

3000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12889108
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
8XfL
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

RN2119MFV(TPL3) Tæknilegar forskriftir

Flokkur
Bipolar (BJT), Einn, Fyrir-Spennt Bipolar Transistorer
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Cut Tape (CT)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
PNP - Pre-Biased
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100 mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50 V
Viðnám - Base (R1)
1 kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Kraftur - hámark
150 mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-723
Birgir tæki pakki
VESM
Grunnvörunúmer
RN2119

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
8,000
Önnur nöfn
RN2119MFV(TPL3)CT
RN2119MFV(TPL3)DKR
RN2119MFV(TPL3)TR
RN2119MFV(TPL3)-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
DDTA113TE-7-F
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DDTA113TE-7-F-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1104,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1105MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2302,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2303(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM