Framleiðandi Vöru númer:
RN2111MFV,L3F
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN2111MFV,L3F-DG
Lýsing:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Birgðir:
7550 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12891289
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN2111MFV,L3F Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Einn, Fyrir-Spennt Bipolar Transistorer
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
PNP - Pre-Biased
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100 mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50 V
Viðnám - Base (R1)
10 kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Kraftur - hámark
150 mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-723
Birgir tæki pakki
VESM
Grunnvörunúmer
RN2111
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
8,000
Önnur nöfn
264-RN2111MFV,L3FTR
RN2111MFVL3F-DG
RN2111MFVL3F
264-RN2111MFV,L3FDKR
264-RN2111MFV,L3FCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DTA114TMT2L
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
3120
HLUTARNÁMR
DTA114TMT2L-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN2110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1425TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
RN1427TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
