Framleiðandi Vöru númer:
RN2110MFV,L3F
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN2110MFV,L3F-DG
Lýsing:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Birgðir:
7990 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12890460
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
3BnF
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN2110MFV,L3F Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Einn, Fyrir-Spennt Bipolar Transistorer
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
PNP - Pre-Biased
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100 mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50 V
Viðnám - Base (R1)
4.7 kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Kraftur - hámark
150 mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-723
Birgir tæki pakki
VESM
Grunnvörunúmer
RN2110
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
8,000
Önnur nöfn
264-RN2110MFV,L3FCT
264-RN2110MFV,L3FDKR
RN2110MFVL3F-DG
264-RN2110MFV,L3FTR
RN2110MFVL3F
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NSBA143TF3T5G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
8000
HLUTARNÁMR
NSBA143TF3T5G-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DTA143TMT2L
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
16000
HLUTARNÁMR
DTA143TMT2L-DG
Einingaverð
0.04
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DTA043TMT2L
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DTA043TMT2L-DG
Einingaverð
0.02
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
DDTC143EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
DDTA114ECA-7
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
DDTA124XE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
