Framleiðandi Vöru númer:
RN1906FE(T5L,F,T)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN1906FE(T5L,F,T)-DG
Lýsing:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Birgðir:
12889240
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN1906FE(T5L,F,T) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
Gerð smára
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
4.7kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
100nA (ICBO)
Tíðni - Umskipti
250MHz
Kraftur - hámark
100mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Birgir tæki pakki
ES6
Grunnvörunúmer
RN1906
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
RN1906FE(T5LFT)DKR
RN1906FE(T5LFT)TR
RN1906FE(T5LFT)CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
NSBC143ZDXV6T1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
15499
HLUTARNÁMR
NSBC143ZDXV6T1G-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
NSBC143EDXV6T1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
5000
HLUTARNÁMR
NSBC143EDXV6T1G-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PEMH13,115
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
8000
HLUTARNÁMR
PEMH13,115-DG
Einingaverð
0.07
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN4986(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2906FE,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
RN1903FE,LF(CT
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH