Framleiðandi Vöru númer:
RN1707JE(TE85L,F)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
RN1707JE(TE85L,F)-DG
Lýsing:
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=4
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Birgðir:
3872 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13275899
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RN1707JE(TE85L,F) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
Gerð smára
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
10kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
500nA
Tíðni - Umskipti
250MHz
Kraftur - hámark
100mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-553
Birgir tæki pakki
ESV
Grunnvörunúmer
RN1707
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
264-RN1707JE(TE85LF)CT
264-RN1707JE(TE85LF)TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI vottun
Tengdar vörur
RN4988(TE85L,F)
NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
RN1710JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=
FMC2T148
TRANS DGTL BJT NPN/PNP SMT5
