Framleiðandi Vöru númer:
2SK3868(Q,M)
Product Overview
Framleiðandi:
Toshiba Semiconductor and Storage
Völu númer:
2SK3868(Q,M)-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Birgðir:
12890904
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2SK3868(Q,M) Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220SIS
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
2SK3868
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FQPF5N50CYDTU
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
34713
HLUTARNÁMR
FQPF5N50CYDTU-DG
Einingaverð
0.72
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPH12008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
DMN1004UFV-13
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
TK9A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
