TPS1101DR
Framleiðandi Vöru númer:

TPS1101DR

Product Overview

Framleiðandi:

Texas Instruments

Völu númer:

TPS1101DR-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 15 V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Birgðir:

12816372
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

TPS1101DR Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Texas Instruments
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
15 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+2V, -15V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
791mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOIC
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grunnvörunúmer
TPS1101

Gagnaablað & Skjöl

Vörusíða framleiðanda
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
TPS1101DRG4
TPS1101DRG4-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
FDS6375
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
2121
HLUTARNÁMR
FDS6375-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

infineon-technologies

IRF6678TRPBF

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

texas-instruments

CSD25303W1015

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

epc

EPC2212

GANFET N-CH 100V 18A DIE