Framleiðandi Vöru númer:
TSM900N06CH
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM900N06CH-DG
Lýsing:
60V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251S (IPAK SL)
Birgðir:
12999291
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM900N06CH Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
500 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
25W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251S (IPAK SL)
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
TSM900
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
15,000
Önnur nöfn
1801-TSM900N06CH
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TSM60NB190CZ
600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
SIHB28N60EF-T5-GE3
N-CHANNEL 600V
IXFP18N65X3
DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO22